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      東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關損耗的4引腳封裝

      作者:時間:2023-08-31來源:電子產品世界收藏

      電子元件及存儲裝置株式會社(“”)近日宣布,推出采用有助于的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產品采用最新的[1]第3代芯片,用于支持工業設備應用。該系列中五款額定電壓為650V,另外五款額定電壓為1200V,十款產品于今日開始批量出貨。

      本文引用地址:http://www.connhp.com/article/202308/450131.htm

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      新產品是東芝產品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產品,其封裝支持柵極驅動信號源極端使用開爾文連接,有助于減少封裝內源極線電感的影響,從而提高高速開關性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%,關斷損耗降低了約34%[2]。這一改善有助于降低設備功率損耗。

      使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設計已在東芝官網發布。

      東芝將繼續擴大自身產品線,進一步契合市場趨勢,并助力用戶提高設備效率,擴大功率容量。

      使用新型SiC MOSFET的3相逆變器

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      使用SiC MOSFET的3相逆變器

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      簡易方框圖

      ●   應用:

      -   開關電源(服務器、數據中心、通信設備等)

      -   電動汽車充電站

      -   光伏變頻器

      -   不間斷電源(UPS)

      ●   特性:

      - 4引腳TO-247-4L(X)封裝:

      柵極驅動信號源極端使用開爾文連接,可

      -   第3代

      -   低漏源導通電阻×柵漏電荷

      -   低二極管正向電壓:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)

      ●   主要規格:

      (除非另有說明,Ta=25℃)

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      注:

      [1] 截至2023年8月

      [2] 截至2023年8月,東芝測量值(測量條件:VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25℃)



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